有磁気場励起マルチ容量プラズマ発生装置および関連方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995530419
Publication number (International publication number)：1997503350
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Mar. 31, 1997
Summary：

【要約】プラズマ発生装置、およびその操作のための関連方法であつて、良好なプロセス制御とプロセス再現性をもった、均一な高密度プラズマを発生するものに関する。この装置は、第一のラジオ周波数(rf)パワーソースが、プラズマ発生のための横切る電場を与えるために結合されている多重の側電極を有し、そして1組の従来型の上部および下部電極であって、第二のrfパワーソースが、ドライエッチングのようなプロセスに使用されるプラズマエネルギーの別々の制御を与えるために結合されているものを有する。さらに、磁場コイルが、横切る電場に垂直なプラズマ発生の強化のために磁場を与える。プラズマは、相対的に低い周波数(50-200MHz)パワーソースにより発生されるので、電子サイクロトロン共鳴(ECR)条件またはその近くでの磁場励起操作を達成するに必要な磁場強度は100ガウスを下回り、このことは相対的に低コストを与えることが可能である。さらに、装置は、相対的に広い範囲のチャンバ圧力で効果的に操作され得るものである。理想的には、プラズマ発生に使用する側電極の数は4または6であり、それぞれの電極は、プラズマ形成の均一性をさらに強化する回転電場を生じるため、隣接する電極に比較して位相遅延シグナルを受けるものである。

Claim (excerpt)：

上部および下部壁、側壁を有し、さらに、ガスプラズマプロセス環境を維持し、そして前もって選択された操作圧力へ減圧し得るプラズマチャンバと共に使用し、および第一のおよび第二のラジオ周波数(rf)パワーのソースと共に使用するための装置であって、前記装置が:側電極であって、チャンバ側壁近くに配置され、該電極が、プラズマ放電を保持し得る該チャンバ内で横断電場を生じるため、第一のrfパワーソースからパワーを受けるべく適合されている複数の側電極と;該プラズマ密度を強化し得る横断電場に略垂直のチャンバ内の磁場を発生する手段と;1対の空間配置された上部および下部電極であって、少なくともその1つがrfパワーの第二のソースからパワーを受けるべく適合され、該上部および下部電極が該チャンバ内で該横断電場に略垂直に電場を発生するべく配置されるものと;少なくとも1つの該上部および下部電極へ該rfパワーを変化するための制御器とを有する装置であり、該上部および下部電極の1つに隣接して配置されるワークピースプロセスのため、供給される該プラズマエネルギーがプラズマ生成に略独立に制御され得ることを特徴とするもの。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46 , C23C 16/50 , H01L 21/205

FI (7)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 G , C23F 4/00 D , H05H 1/46 C , C23C 16/50 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-190548 Applicant：株式会社ダイヘン
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-134849 Applicant：株式会社ダイヘン
特開昭63-102321

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