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J-GLOBAL ID：200903088364639783

III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ

Inventor：
三木久幸

About 三木久幸

, 
桜井哲朗

About 桜井哲朗

, 
奥山峰夫

About 奥山峰夫


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002038841
Publication number (International publication number)：2003243302
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：
【要約】【課題】基板上に簡素化された方法で高品質のIII族窒化物半導体結晶を成長することを可能とする。【解決手段】加熱した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成し、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる。
Claim (excerpt)：
加熱した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(以下、III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成する第1の工程と、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる第2の工程を有するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (6)：
H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
F-Term (55)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EC09 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030KA23 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA09 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA61 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA15 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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