Pat
J-GLOBAL ID:200903088364639783
III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
柿沼 伸司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002038841
Publication number (International publication number):2003243302
Application date: Feb. 15, 2002
Publication date: Aug. 29, 2003
Summary:
【要約】【課題】基板上に簡素化された方法で高品質のIII族窒化物半導体結晶を成長することを可能とする。【解決手段】加熱した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成し、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる。
Claim (excerpt):
加熱した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(以下、III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成する第1の工程と、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる第2の工程を有するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (6):
H01L 21/20
, C23C 16/34
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/343 610
FI (6):
H01L 21/20
, C23C 16/34
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 5/343 610
F-Term (55):
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077DB04
, 4G077DB08
, 4G077EC09
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 4G077TB05
, 4G077TC01
, 4G077TC13
, 4G077TC14
, 4G077TC19
, 4G077TK01
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BA55
, 4K030BA56
, 4K030BB03
, 4K030BB12
, 4K030BB14
, 4K030CA05
, 4K030FA10
, 4K030JA06
, 4K030KA23
, 4K030LA14
, 4K030LA18
, 5F041AA03
, 5F041AA09
, 5F041AA41
, 5F041AA42
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AF09
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DA61
, 5F052JA07
, 5F052KA01
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073EA15
, 5F073EA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-224003
Applicant:昭和電工株式会社
-
気相成長装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-364231
Applicant:日本酸素株式会社
Cited by examiner (2)
-
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-224003
Applicant:昭和電工株式会社
-
気相成長装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-364231
Applicant:日本酸素株式会社
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