気相成長装置及び方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木戸一彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364231
Publication number (International publication number)：2001185488
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】フローチャンネルに付着した汚れに起因する成長再現性の低下を抑制することができる気相成長装置及び方法を提供する。【解決手段】サセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記フローチャンネルに加熱手段を設け、気相成長終了後の基板をフローチャンネル内から取出した後、フローチャンネルを加熱することにより、フローチャンネルの内壁に付着した汚れを再蒸発させて除去してから次の気相成長操作を開始する。

Claim (excerpt)：

フローチャンネル内のサセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記フローチャンネルに加熱手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。

F-Term (18)：

5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045BB14 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EB06 , 5F045EB11 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EK07 , 5F045EK08 , 5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-139816
薄膜の成長方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-284233 Applicant：信越半導体株式会社
成膜装置及び成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337148 Applicant：株式会社東芝

Show all

Cited by examiner (5)

特開平4-139816
薄膜の成長方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-284233 Applicant：信越半導体株式会社
成膜装置及び成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337148 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page