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J-GLOBAL ID:200903088570517023

半導体装置およびその製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 河村 洌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001021113
Publication number (International publication number):2002289768
Application date: Jan. 30, 2001
Publication date: Oct. 04, 2002
Summary:
【要約】【課題】 COCタイプの半導体装置において、複数の半導体チップ同士を接続する際に、高温の印加により半導体チップの特性を劣化させることなく、半導体チップの電極端子同士を接続することができる構造の半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 表面にバンプ電極11が形成された第1の半導体チップ1上に、第2の半導体チップ2のバンプ電極21が接合されるCOCタイプで形成されている。この第1および第2の半導体チップ1、2のバンプ電極11、21は、それぞれAuのような融点が比較的高い第1の金属からなり、そのバンプ電極11、21の接合部はその第1の金属と第2の金属との合金層3により形成され、第2の金属は、第1の金属の溶融温度より低い温度で溶融して第1の金属と合金化し得る材料からなっている。
Claim (excerpt):
第1の半導体チップの電極端子と、第2の半導体チップの電極端子とがバンプ電極を介して接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプ電極が第1の金属からなり、該バンプ電極を介した第1および第2の半導体チップの接合部は該第1の金属と第2の金属との合金層により形成され、前記第2の金属は、前記第1の金属の溶融温度より低い温度で溶融して前記第1の金属と合金化し得る材料からなる半導体装置。
IPC (5):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (3):
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 25/08 B ,  H01L 21/92 603 B
F-Term (6):
5F044KK00 ,  5F044LL05 ,  5F044LL13 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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