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J-GLOBAL ID：200903088580930417

成膜方法、成膜装置、および記憶媒体

Inventor：
岡田 充弘

About 岡田 充弘

, 
久保 万身

About 久保 万身


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007192914
Publication number (International publication number)：2009032766
Application date： Jul. 25, 2007
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：
【課題】カーボン膜とSi系無機膜とを効率的にかつ生産性高く低コストで成膜することができ、しかもカーボン膜の膜質劣化が生じ難い成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理体に対してアモルファスカーボン膜を成膜し、その上にSi系無機膜を成膜するに当たり、複数枚の被処理体を処理容器内に収容して成膜処理するバッチ式の成膜装置を用い、処理容器内を減圧状態に保持してCVDにより被処理体にカーボン膜を成膜し、引き続き同じ成膜装置により減圧状態を維持したままCVDにより被処理体のカーボン膜の上にSi系無機膜を成膜する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
被処理体に対してカーボン膜を成膜し、その上にSi系無機膜を成膜する成膜方法であって、 複数枚の被処理体を処理容器内に収容して成膜処理するバッチ式の成膜装置を用い、処理容器内を減圧状態に保持してCVDにより被処理体にカーボン膜を成膜し、引き続き同じ成膜装置により減圧状態を維持したままCVDにより被処理体のカーボン膜の上にSi系無機膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/306
FI (3)：
H01L21/31 B ,  C23C16/54 ,  H01L21/302 105A
F-Term (30)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F004EA02 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD10 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第7064078号公報
Cited by examiner (4)
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