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J-GLOBAL ID：200903088609091193

露光機のベストフォーカス測定方法及びその方法に使用するマスク

Inventor：
内田 登

About 内田 登


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996264777
Publication number (International publication number)：1998112428
Application date： Oct. 04, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：
【要約】【課題】 作業者により変化することのない露光機のベストフォーカス測定方法を提供すること。【解決手段】 遮光膜10の一方の側に遮光膜10側から順に透過部14及びシフター部12を配置してあり、かつシフター部12を透過する光と透過部14を透過する光との間に0°<α<180°の範囲の位相差αを生じさせるものとしてあるマスクパターンを、結像面上に設けたレジスト膜に転写してシフターエッジ16に起因する第1のレジストパターン20aと、遮光膜10に起因する第2のレジストパターン20bとを形成する。そして、第1のレジストパターンの中心位置24と第2のレジストパターンの線対称中心位置26との距離が結像面上でのシフターエッジ16の位置と遮光膜の線対称中心位置18との距離に等しくなるときのフォーカスをベストフォーカスとする。
Claim (excerpt)：
遮光膜とシフター部と透過部とを少なくとも具えるマスクパターンであって、前記シフター部及び前記透過部の境界(以下、シフターエッジという)の位置と前記遮光膜の線対称中心位置とが所定の距離だけ離れて平行に位置するように前記遮光膜、前記シフター部及び前記透過部を配置してあり、かつ前記シフター部及び前記透過部を、該シフター部を透過する光と該透過部を透過する光との間に0°<α/n<180°又は180°<α/n<360°(ただし、nは1以上の整数)の条件で定まる位相差αを生じさせるものとしてある前記マスクパターンを、露光機の結像面上に設けた感光膜に転写して転写パターンを形成し、該転写パターンのうち、前記シフターエッジに起因する第1の転写パターンの中心位置と、前記遮光膜に起因する第2の転写パターンの線対称中心位置との距離が、前記結像面上での前記シフターエッジの位置と前記遮光膜の線対称中心位置との距離に等しくなるときのフォーカスを前記露光機のベストフォーカスとすることを特徴とする露光機のベストフォーカス測定方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/207
FI (4)：
H01L 21/30 526 A ,  G03F 7/207 H ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 516 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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