原子層蒸着法を利用したp型ZnO半導体膜の製造方法及びその製造方法で製造されたZnO半導体膜を含む薄膜トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008002403
Publication number (International publication number)：2008172243
Application date： Jan. 09, 2008
Publication date： Jul. 24, 2008
Summary：

【課題】低温で簡単な工程で製造された優秀な特性を有する低価のp型ZnO半導体膜の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のp型ZnO半導体膜の製造方法は、基板を準備し、チャンバー内に配置する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と酸素前駆体を注入し、原子層蒸着法を利用した亜鉛前駆体と酸素前駆体間の表面化学反応を通じて基板上にZnO薄膜を形成する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と窒素前駆体を注入し、亜鉛前駆体と窒素前駆体間の表面化学反応を用いてZnO薄膜上にドーピング層を形成する段階とを含む。半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Si、SUSなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なp型の薄膜トランジスタを形成することができ、PN接合(junction)を利用したLEDなどの光電素子を具現することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を準備し、チャンバー内に配置する段階と、前記チャンバー内に亜鉛前駆体と酸素前駆体を注入し、原子層蒸着法を用いて前記亜鉛前駆体と前記酸素前駆体間の表面化学反応を通じて前記基板上にZnO薄膜を形成する段階と、前記チャンバー内に亜鉛前駆体と窒素前駆体を注入し、前記亜鉛前駆体と前記窒素前駆体間の表面化学反応を用いて前記ZnO薄膜上にドーピング層を形成する段階とを含むことを特徴とするp型ZnO半導体膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/365 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , C01B 21/06 , C23C 16/40 , C23C 16/455

FI (14)：

H01L21/365 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 626C , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L29/78 617L , H01L29/78 616U , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , C01B21/06 R , C01B21/06 N , C23C16/40 , C23C16/455

F-Term (59)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA20 , 4K030BA47 , 4K030DA09 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 5F045AA04 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AF02 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045CA15 , 5F045HA22 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG04 , 5F110GG20 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

結晶成長方法及び結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-364018 Applicant：国立大学法人静岡大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Dependence of the electrical properties of the ZnO thin films grown by atomic layer epitaxy on the r

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