結晶成長方法及び結晶成長装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三好秀和 , 鈴木壯兵衞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005364018
Publication number (International publication number)：2007165805
Application date： Dec. 16, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：

【課題】抵抗率の制御が広いダイナミックレンジで可能なp型のZnO系化合物半導体材料の結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。【解決手段】反応容器11と、基板41を成長温度まで加熱する加熱手段21と、減圧された反応容器11中において、Zn元素の化合物ガスを含む1又は2以上のII族原料ガスを基板41の表面に、成長圧力で供給する原料ガス導入ライン13と、基板41の表面にイオンが到達しないようにして、II族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを、基板41の表面に、成長圧力で供給する中性ラジカル供給手段(12,15)とを備え、基板41の表面にp型ZnO系化合物半導体薄膜を成長する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

減圧された反応容器中で基板を成長温度まで加熱し、該成長温度に維持するステップと、前記減圧された反応容器中で、少なくともZn元素の化合物ガスを含む1又は2以上のII族原料ガスを前記基板の表面に供給するステップと、前記減圧された反応容器中で、前記基板の表面にイオンが到達しないようにして、前記II族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを、前記基板の表面に供給するステップとを含み、前記基板の表面にp型ZnO系化合物半導体薄膜を成長することを特徴とする結晶成長方法。

IPC (1)：

H01L 21/365

FI (1)：

H01L21/365

F-Term (22)：

5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB22 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF09 , 5F045DA53 , 5F045DA66 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH18 , 5F045EM09 , 5F045HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

導電性材料、導電性薄膜、複合膜、及び導電性材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-241838 Applicant：大阪大学長

Cited by examiner (9)

ラジカルセル装置およびII-VI族化合物半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-256728 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-131328 Applicant：信越半導体株式会社
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