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J-GLOBAL ID:200903088781156620
固体撮像装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995122866
Publication number (International publication number):1996316448
Application date: May. 22, 1995
Publication date: Nov. 29, 1996
Summary:
【要約】【目的】 固体撮像装置に光が斜め入射する場合に、受光部からはずれる光路をとる光を下段の第2マイクロレンズにより、より垂直に近い形に集光し、斜め入射光の集光率の減少を抑制し、感度の高い画像特性に優れた固体撮像装置を提供する。【構成】 遮光膜7に高融点金属、または、その金属シリサイド膜を使用し遮光膜を薄膜化した上でボロン-リン-シリサイドガラス(BPSG)膜6を全体に覆い、SiO2 ,SiONまたはSiNである表面保護膜5を形成した素子に、直接第2マイクロレンズ2を形成し、その上にカラーフィルター4と中間膜3を形成し、さらに第1マイクロレンズ1を形成する。下段の第2マイクロレンズ2は、屈折率が中間膜3やBPSG膜6の屈折率より大きい材料で形成する。
Claim (excerpt):
固体撮像素子が形成された半導体基板の上の受光部に対応してマイクロレンズが上下2層形成された構造の固体撮像装置であって、前記固体撮像素子の受光部の上方に半導体素子表面保護膜を備え、前記上下のマイクロレンズの間には中間膜を備え、前記上下のマイクロレンズの光屈折率が実質的に同じで、かつ光の透過率がほぼ等価であり、前記マイクロレンズ間に挟まれた中間膜より前記上下のマイクロレンズの光屈折率が大きいとともに、前記半導体素子表面保護膜から受光部までの膜の平均屈折率より前記上下のマイクロレンズの光屈折率が大きいことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (5):
H01L 27/14
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H04N 5/335
, H01L 21/316
FI (5):
H01L 27/14 D
, H01L 21/28 301 T
, H01L 21/28 301 R
, H04N 5/335 F
, H01L 21/316 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-249273
Applicant:株式会社東芝
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固体撮像装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-002962
Applicant:ソニー株式会社
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固体撮像装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-027864
Applicant:シャープ株式会社
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