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J-GLOBAL ID：200903088893860991

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 長島 直樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996180919
Publication number (International publication number)：1998027854
Application date： Jul. 10, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】単一極性のゲート電極で表面チャネル型のNMOSとPMOSとを構成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜23に接するゲート電極として、ゲルマニウムを含有するゲルマニウム電極31を用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板表面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲルマニウムを含有するゲルマニウム電極層とを有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-031203   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-270066
  
• 配線コンタクトの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-188397   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-270066