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J-GLOBAL ID：200903052797152523

半導体装置

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Inventor： 坂本 充
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031203
Publication number (International publication number)：1993235335
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】微細絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値電圧をゲート電極材料の仕事関数を最適値にすることで制御し、絶縁ゲート電界効果トランジスタの微細化に伴うシリコン基板中の不純物濃度増加を不必要にする。かくして微細絶縁ゲート電界効果トランジスタの高速度化,信頼性向上を図る。【構成】ゲート電極12を多結晶構造のシリコン・ゲルマニウム合金、或いは金属薄膜/シリコン・ゲルマニウム合金の2層構造の金属材料とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成する絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の少くとも一部に多結晶シリコン・ゲルマニウム(Si1-x Gex)合金膜を用いることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-025176
  
• 特開平3-205830