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J-GLOBAL ID：200903088937778350
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021410
Publication number (International publication number)：1999199387
Application date： Jan. 19, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ウエーハ全域において成長欠陥がなく、しかも酸素析出量のばらつきの少ない、高品質のシリコン単結晶を、共通性と一般性を持った変数である引き上げ速度P を制御しつつ結晶を引き上げることによって製造する方法とその方法によって製造されるシリコン単結晶を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、結晶引き上げ速度を、原子空孔過剰であるが成長欠陥のない領域から格子間シリコン原子過剰であるがその凝集体の存在しない領域への遷移が起こる遷移引き上げ速度Pcと、格子間シリコン原子過剰であるがその凝集体の存在しない領域から格子間シリコン原子の凝集体が存在する領域への遷移引き上げ速度Piとの間で制御しながら結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法、およびこの方法で得られるシリコン単結晶、シリコン単結晶ウエーハ。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、格子間シリコン原子過剰であるがその凝集体の存在しない領域で結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
