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J-GLOBAL ID：200903050547310570

ホットゾーンでの引上速度プロファイルを調節して単結晶シリコンインゴット及びウェーハを製造する方法、それによって製造されるインゴット及びウェーハ

Inventor：
ジェア-グン パーク

About ジェア-グン パーク

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キョー-チュル チョー

About キョー-チュル チョー

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ゴン-サブ リー

About ゴン-サブ リー


Applicant, Patent owner：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

About サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド


Agent (1)： 志賀 富士弥 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998030682
Publication number (International publication number)：1999001393
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、微小電子(microelectronic)素子製造方法及び装置に関するもので、より詳しくはシリコンインゴット製造方法及びそれによって製造されたシリコンインゴット及びウェーハに関するものである。【解決手段】 シリコンインゴットがインタースチシャル固まりを防止できるくらい十分高いが、べーカンシー固まりをべーカンシー豊富領域内に制限できるくらい十分低いインゴットの引上速度プロファイルで、ホットゾーン炉内の溶融物からインゴットを軸方向に引上させることで製作される。このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域と、べーカンシー豊富領域とウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域を有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハにスライシングされる。
Claim (excerpt)：
インタースチシャル固まりを防止することができるように十分高いが、べーカンシー固まりをインゴットの軸方向に沿ってべーカンシー豊富領域内に制限させることができるように十分に低い引上速度(pull rate)プロファイルでホットゾーン炉内のシリコン溶融物からインゴットを軸方向に引上げる段階を備えることを特徴とするホットゾーン炉でのシリコンインゴット製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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