薄膜形成用炭素ターゲット材及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小林雅人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061819
Publication number (International publication number)：1995286269
Application date： Feb. 24, 1995
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来技術の難点を解決し、スパッタリング中に異常放電を起こして、汚染につながる粉体等を発生したりすることがなく、しかも高純度の薄膜形成用炭素ターゲット材を提供することを目的とする。【構成】本発明の薄膜形成用炭素ターゲット材は、ポリカルボジイミド樹脂を原料として製造したガラス状炭素からなることを特徴とし、又、本発明の薄膜形成用炭素ターゲット材の製造方法は、ポリカルボジイミド樹脂或いは主としてポリカルボジイミド樹脂よりなる組成物を適宜の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ポリカルボジイミド樹脂を原料として製造したガラス状炭素からなることを特徴とする薄膜形成用炭素ターゲット材。

IPC (2)：

C23C 14/34 , C01B 31/02 101

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

薄膜形成材料及びその製造方法並びに薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-181954 Applicant：花王株式会社
特開平2-057679
特開昭62-033759

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