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J-GLOBAL ID：200903089010614437

磁気記録素子とその製造方法及び磁気メモリ

Inventor：
大沢 裕一

About 大沢 裕一

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中村 志保

About 中村 志保

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森瀬 博史

About 森瀬 博史

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柳 暁志

About 柳 暁志

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才田 大輔

About 才田 大輔


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007262575
Publication number (International publication number)：2009094244
Application date： Oct. 05, 2007
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：
【課題】製造が容易で動作安定性に優れた磁気記録素子とその製造方法及び磁気メモリを提供する。【解決手段】膜面に対して略垂直な第1の方向に磁化が固着された第1の磁性層と、膜面に対して略垂直で前記第1の方向とは反対の第2の方向に磁化が固着された第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられ磁化の方向が可変の第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層B1と、前記第3の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第2の中間層B2と、を有する積層体Sと、前記積層体の前記膜面に対して略垂直な方向に電流を通電可能とした一対の電極5と、を備え、前記第1の磁性層の膜厚の中間点における膜面に対して平行な方向の断面積は、前記第2の磁性層の膜厚の中間点における膜面に対して平行な方向の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気記録素子10が提供される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
膜面に対して略垂直な第1の方向に磁化が固着された第1の磁性層と、膜面に対して略垂直で前記第1の方向とは反対の第2の方向に磁化が固着された第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられ磁化の方向が可変の第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第3の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、を有する積層体と、 前記積層体の前記膜面に対して略垂直な方向に電流を通電可能とした一対の電極と、 を備え、 前記第1の磁性層の膜厚の中間点における膜面に対して平行な方向の断面積は、前記第2の磁性層の膜厚の中間点における膜面に対して平行な方向の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気記録素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/12
F-Term (41)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ13 ,  4M119JJ14 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BC46 ,  5F092CA09 ,  5F092CA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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