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J-GLOBAL ID：200903089029595441

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003098976
Publication number (International publication number)：2003283057
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 従来例に比較してさらに出力と素子信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Inを含む窒化物半導体からなる活性層と、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>x</SB>N(0<x<1)からなりかつ活性層に接して形成されたp型キャップ層とを備えた窒化物半導体発光素子であって、p型キャップ層は、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなり活性層に接して形成された第1のp型窒化物半導体層と、Al<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b<1)からなり第1のp型窒化物半導体層より結晶欠陥の少ない第2のp型窒化物半導体層とを含んでなり、かつp型キャップ層全体の厚さが10Å以上1000Å以下に設定されている。
Claim (excerpt)：
少なくともn型窒化物半導体からなるn型クラッド層、Inを含む窒化物半導体からなる活性層、及びp型窒化物半導体からなるp型クラッド層とを備えた窒化物半導体発光素子において、前記活性層とp型クラッド層との間に、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなりかつ前記p型クラッド層よりエネルギーギャップの大きい第1のp型窒化物半導体層と、Al<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b<1)からなる第2のp型窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (40)：
5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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