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J-GLOBAL ID：200903018506214442

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor：
ジョン・レニー

About ジョン・レニー

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波多腰 玄一

About 波多腰 玄一

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小野村 正明

About 小野村 正明


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998020907
Publication number (International publication number)：1998290027
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】導波層とクラッド層界面の欠陥密度を制御することにより、活性層における発光が均一化された高効率で高信頼性のGaN系半導体発光装置を得る。【解決手段】GaN系半導体発光装置を形成する際、特に上部p-GaN導波層とp-AlGaNクラッド層との界面近傍において、成長温度と圧力の上昇又はp-AlGaNを効率的に成長するのに必要なキャリアガス流量とNH3 流量の増加により、発生する高密度の欠陥を制御する方法と構造を提供する。温度、圧力の上昇とキャリアガス、NH3 流量増加をクラッド層成長中に行うか成長後に行うか同時に行うか独立に行うか、あるいは導波層とクラッド層との間に欠陥発生を防止するInAlGaN又はInGaNバッファ層を導入することにより、前記欠陥密度を大幅に低減することができる。また上記GaNとAlGaNの界面に多量に生じる欠陥を半導体発光装置の電流狭窄に応用することができる。
Claim (excerpt)：
少なくとも活性層と、導波層と、クラッド層からなる多層構造を具備する半導体発光装置の製造方法において、前記多層構造の成長条件から温度条件を選択し、Inx Gay Alz B1-x-y-z N(0≦x、y、z≦1、0≦x+y+z≦1)からなる前記クラッド層の成長中に、前記温度条件を第1の温度から第2の温度に切り替える工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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