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J-GLOBAL ID:200903018506214442
半導体発光装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998020907
Publication number (International publication number):1998290027
Application date: Feb. 02, 1998
Publication date: Oct. 27, 1998
Summary:
【要約】【課題】導波層とクラッド層界面の欠陥密度を制御することにより、活性層における発光が均一化された高効率で高信頼性のGaN系半導体発光装置を得る。【解決手段】GaN系半導体発光装置を形成する際、特に上部p-GaN導波層とp-AlGaNクラッド層との界面近傍において、成長温度と圧力の上昇又はp-AlGaNを効率的に成長するのに必要なキャリアガス流量とNH3 流量の増加により、発生する高密度の欠陥を制御する方法と構造を提供する。温度、圧力の上昇とキャリアガス、NH3 流量増加をクラッド層成長中に行うか成長後に行うか同時に行うか独立に行うか、あるいは導波層とクラッド層との間に欠陥発生を防止するInAlGaN又はInGaNバッファ層を導入することにより、前記欠陥密度を大幅に低減することができる。また上記GaNとAlGaNの界面に多量に生じる欠陥を半導体発光装置の電流狭窄に応用することができる。
Claim (excerpt):
少なくとも活性層と、導波層と、クラッド層からなる多層構造を具備する半導体発光装置の製造方法において、前記多層構造の成長条件から温度条件を選択し、Inx Gay Alz B1-x-y-z N(0≦x、y、z≦1、0≦x+y+z≦1)からなる前記クラッド層の成長中に、前記温度条件を第1の温度から第2の温度に切り替える工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
FI (3):
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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3-5族化合物半導体の製造方法および発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-322911
Applicant:住友化学工業株式会社
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化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-098633
Applicant:シャープ株式会社
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窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-036250
Applicant:日亜化学工業株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-086083
Applicant:豊田合成株式会社
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特開平3-270185
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3-5族化合物半導体の生産性向上方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-385834
Applicant:住友化学工業株式会社
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特開平4-338635
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-341880
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-260720
Applicant:富士通株式会社
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特開昭63-042114
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Cited by examiner (4)