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J-GLOBAL ID:200903089031269772
低抵抗透明導電膜及びその製造法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
打揚 洋次 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002050300
Publication number (International publication number):2003249125
Application date: Feb. 26, 2002
Publication date: Sep. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 焼結温度が低く、かつ、焼結後の電気抵抗が小さい透明導電膜の製造法及び得られた低抵抗透明導電膜の提供。【解決手段】 ITO等の透明導電膜形成用金属酸化物の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布し、大気中で150〜200°Cで燒結して多孔質透明導電膜を形成し、次いで、酸素又はオゾンを含むガスとハロゲン化インジウムガス又は有機インジウムガスとの混合ガス雰囲気中で100〜250°Cで加熱して成膜する。多孔質導電膜中の空孔が、酸素と有機インジウムとの反応により生成されたインジウム酸化物で充填されている。
Claim (excerpt):
透明導電膜形成用金属酸化物の微粒子を酸素又はオゾンを含むガスとハロゲン化金属ガス又は有機金属化合物ガスとの混合ガス雰囲気中で100〜250°Cで焼結した、該金属酸化物からなる多孔質透明導電膜中の空孔が酸素又はオゾンとハロゲン化金属又は有機金属化合物との反応により生成された金属酸化物で充填されている構造を有する低抵抗透明導電膜。
IPC (6):
H01B 5/14
, C04B 35/495
, C04B 35/64
, H01B 13/00 503
, H05B 33/14
, H05B 33/28
FI (6):
H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
, H05B 33/14 A
, H05B 33/28
, C04B 35/64 A
, C04B 35/00 J
F-Term (30):
3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4G030AA08
, 4G030AA24
, 4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030AA39
, 4G030AA42
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030CA08
, 4G030GA17
, 4G030GA20
, 4G030GA24
, 4G030GA27
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G307FC05
, 5G323BA02
, 5G323BA03
, 5G323BA04
, 5G323BB01
, 5G323BB02
, 5G323BB03
, 5G323BC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
特開昭62-064004
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透明導電膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-007053
Applicant:松下電器産業株式会社
-
透明導電膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-236035
Applicant:旭硝子株式会社
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