ホスホシリケートゲル、プロトン伝導性材料および製造法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴木俊一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272720
Publication number (International publication number)：2002080214
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】プロトン伝導性に優れ、高温乾燥雰囲気下でもプロトン伝導性の低下のないホスホシリケートゲル、プロトン伝導性材料及びこれらの製造法を提供する。【解決手段】85%H3PO4溶液を標準とし、測定周波数が121.419MHz、回転数が約5000Hzの条件で得られた31P MAS-NMRスペクトルにおいて、0ppmと-11ppm付近に、または0ppmと-11ppm付近と-44〜-52ppm付近にピークを有するホスホシリケートゲルおよびこのホスホシリケートゲルからなるプロトン伝導性材料。酸性縮合触媒を含む水の存在下に、テトラアルコキシシランにリン酸を添加し混合してゾルを調製し、得られたゾルをゲル化し、熱処理することにより上記ホスホシリケートゲルが得られる。

Claim (excerpt)：

85%H3PO4溶液を標準とし、測定周波数が121.419MHz、回転数が約5000Hzの条件で得られた31P MAS-NMRスペクトルにおいて、0ppmと-11ppm付近に、または0ppmと-11ppm付近と-44〜-52ppm付近にピークを有することを特徴とするホスホシリケートゲル。

IPC (3)：

C01B 33/00 , H01M 8/02 , H01B 1/06

FI (3)：

C01B 33/00 , H01M 8/02 M , H01B 1/06 A

F-Term (17)：

4G072AA35 , 4G072BB05 , 4G072HH30 , 4G072JJ17 , 4G072KK01 , 4G072LL06 , 4G072PP17 , 4G072RR05 , 4G072TT30 , 4G072UU30 , 5G301CA30 , 5G301CD01 , 5H026AA04 , 5H026BB01 , 5H026BB08 , 5H026BB10 , 5H026HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

プロトン伝導体および同プロトン伝導体を用いた電気化学素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-228214 Applicant：松下電器産業株式会社, ジェイエスアール株式会社
非晶質シリカ成形体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-079343 Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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