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J-GLOBAL ID：200903089049472141

弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法

Inventor： 中西 秀文 ,  桜井 敦 ,  小林 真人 ,  吉野 幸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 森下 武一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006964
Publication number (International publication number)：1997199968
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 耐電力性に優れている弾性表面波素子用薄膜電極を得る。【解決手段】 デュアルイオンビームスパッタリング装置1を使用して、圧電体であるタンタル酸リチウム基板12の表面にアルミニウム薄膜13を形成する。すなわち、アシスト用イオンソース4からアシスト用イオンビーム21をタンタル酸リチウム基板12の表面に照射してイオンアシストをしつつ、スパッタリング用イオンソース3からスパッタリング用イオンビーム22をアルミニウムターゲット11に照射して発生させたスパッタリング原子をタンタル酸リチウム基板の表面に堆積させ、アモルファス層とこのアモルファス層上の単結晶層とからなるアルミニウム薄膜13を形成する。

Claim (excerpt)：

圧電体基板上に形成されたアモルファス層と、このアモルファス層上に形成された単結晶層又は配向層とを備えたことを特徴とする弾性表面波素子用薄膜電極。

IPC (6)：

H03H 3/08 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/52 ,  H01L 41/09 ,  H03H 9/145

FI (7)：

H03H 3/08 ,  C30B 23/08 Z ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/52 ,  H03H 9/145 C ,  H03H 9/145 Z ,  H01L 41/08 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 弾性表面波素子の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-339293   Applicant：株式会社村田製作所
• 薄膜配線およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057549   Applicant：日本電気株式会社