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J-GLOBAL ID：200903089066239078

半導体基板の処理方法

Inventor： 天井 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994252125
Publication number (International publication number)：1996115919
Application date： Oct. 18, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低コストで、結晶性、電気的特性の改善された半導体DZ基板(ウェハ)を効率よく提供する。【構成】 CZ法等で、高速に結晶を引き上げ、半導体ウェハを切り出し、臨界直径以下の析出物等の密度の高い密度分布を有した半導体ウェハを選定し、それに対し、その後、還元性あるいは不活性雰囲気中で熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

CZ法又はMCZ法のいずれかを用い、1.3mm/min以上の引上げ速度で、シリコン単結晶を成長し、該単結晶をスライスして半導体基板を形成し、該半導体基板を還元性あるいは不活性雰囲気のいずれかの雰囲気中で、1100°C以上の温度において30分以上熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  C30B 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体ウエーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-289155   Applicant：信越半導体株式会社
• MOS型半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-020403   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平4-167433
  
• 特開平2-177542