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J-GLOBAL ID：200903089071704633

磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 浅尾 吉昭 ,  岩田 佳久 ,  斉藤 好昭 ,  與田 博明 ,  上田 知正 ,  天野 実 ,  高橋 茂樹 ,  岸 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002118214
Publication number (International publication number)：2003318365
Application date： Apr. 19, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 MRAMのTMR素子に書き込み磁界を効率よく作用させる。【解決手段】 TMR素子23の直下には、書き込みワード線20Bが配置される。書き込みワード線20Bは、X方向に延び、その側面及び下面は、高透磁率を有するヨーク材25Bにより覆われている。ヨーク材25Bは、書き込みワード線20Bの上面よりも上部に突出している。TMR素子23の直上には、データ選択線(読み出し/書き込みビット線)24が配置される。データ選択線24は、X方向に交差するY方向に延び、その上面は、高透磁率を有するヨーク材27により覆われている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上部に形成され、磁気抵抗効果を利用してデータを記憶するメモリセルと、前記メモリセルの直下に配置され、第1方向に延びる第1書き込み線と、前記メモリセルの直上に配置され、前記第1方向に交差する第2方向に延びる第2書き込み線と、前記第1書き込み線の側面を覆い、前記第1書き込み線の上面よりも上部に突出している第1ヨーク材とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 120 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 120 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-157484   Applicant：株式会社東芝
• 磁気メモリ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-085095   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-007877   Applicant：株式会社東芝
• 磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-116387   Applicant：株式会社東芝