磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002116387
Publication number (International publication number)：2003309251
Application date： Apr. 18, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 MRAMのTMR素子に書き込み磁界を効率よく作用させる。【解決手段】 TMR素子23の直下には、書き込みワード線20Bが配置される。書き込みワード線20Bは、X方向に延び、その下面は、高透磁率を有するヨーク材25Bにより覆われている。TMR素子23の直上には、データ選択線(読み出し/書き込みビット線)24が配置される。データ選択線24は、X方向に交差するY方向に延び、その上面は、高透磁率を有するヨーク材27により覆われている。書き込み動作時、書き込みワード線20B及びデータ選択線24に流れる書き込み電流により発生する磁界は、ヨーク材25B,27により、効率よく、TMR素子23に作用する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上部に形成され、磁気抵抗効果を利用してデータを記憶するメモリセルと、前記メモリセルの直下に配置され、第1方向に延びる第1書き込み線と、前記メモリセルの直上に配置され、前記第1方向に交差する第2方向に延びる第2書き込み線と、前記第2書き込み線の表面の一部のみを覆う第1ヨーク材とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (16)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-173394 Applicant：株式会社日立製作所
共用グローバルワード線を有する磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-040986 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
電力変換装置の並列運転制御方法とその制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-241628 Applicant：富士電機株式会社

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