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J-GLOBAL ID：200903089114069791

Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法

Inventor： 赤羽 浩一 ,  山本 直克 ,  牛頭 信一郎 ,  大谷 直毅
Applicant, Patent owner： 独立行政法人情報通信研究機構
Agent (3)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003314912
Publication number (International publication number)：2005085916
Application date： Sep. 08, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】複雑な薄膜形成工程を行うことなく、Si基板上に高品質な化合物半導体薄膜を簡便に形成できる方法を提供する。【解決手段】300°C〜560°Cの間の任意の温度で、Si基板1上に厚さが5nmであるAlSbよりなるバッファ層2を形成し、該バッファ層2上に化合物半導体であるGaSbの薄膜3を形成することで、SiとGaSbの熱膨張係数の中間の値を持つAlSbよりなるバッファ層2が、形成した結晶の降温時に生じる歪を吸収する役割を果たすと共に、Alの化学結合が強いことにより強固な結晶となるAlSbを薄い膜厚でSi基板上に形成することから、SiとGaSbの格子定数差を緩衝する役割も果たす。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基板上にAlGaAsAb系材料等の化合物半導体の薄膜を一層もしくは多層に形成する、Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法であって、 Si基板上に、厚さが1ML〜100nmであるAlSbよりなるバッファ層を形成し、該バッファ層上に化合物半導体の薄膜を形成するようにしたことを特徴とするSi基板上への化合物半導体薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L21/203 ,  C30B23/08 ,  C30B29/40

FI (3)：

H01L21/203 M ,  C30B23/08 Z ,  C30B29/40 502H

F-Term (19)：

4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077BE48 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF05 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103LL07 ,  5F103LL09 ,  5F103NN01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置、テラヘルツ波発生装置、及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-178562   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Molecular-beam epitaxy of GaSb/AlSb optical device layers on Si(100)