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J-GLOBAL ID：200903071599919252
半導体装置、テラヘルツ波発生装置、及びそれらの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003178562
Publication number (International publication number)：2005019472
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】低コストで簡便、小型なテラヘルツ波光源を実現可能な半導体装置、テラヘルツ波発生装置、及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】テラヘルツ領域でほとんど吸収がないSi基板30を用い、このSi基板30上に、AlSbバッファ層31を形成し、さらにバッファ層31上に、テラヘルツ波の発生に用いられる半導体結晶層としてInAs層32をエピタキシャル成長する。そして、InAs層32の面3aをパルス励起光L1の入射面とし、Si基板30の面3bをパルス励起光L1によってInAs層32内で発生したテラヘルツ波L2の出射面とする透過型の構成とする。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
Si基板と、
前記Si基板上に形成されたAlSbからなるバッファ層と、
前記バッファ層上にエピタキシャル成長されたInAs、InSb、またはその混晶からなる化合物半導体層と
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01S1/02
, H01L21/20
, H01L21/203
H01S1/02
, H01L21/20
, H01L21/203 M
5F052JA10
, 5F052KA01
, 5F052KA05
, 5F103AA04
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103LL20
, 5F103RR05
, 5F103RR08
Cited by examiner (7)
-
半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-056701
Applicant：三星電子株式会社
-
THz電磁波発生制御方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-048318
Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
-
放射源
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2001-526660
Applicant：テラビューリミテッド
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