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J-GLOBAL ID：200903089190979306

カーボンナノウォールを用いた電子素子

Inventor： 堀 勝 ,  加納 浩之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学 ,  NUエコ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258573
Publication number (International publication number)：2007073715
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】カーボンナノウォールを用いた新規な特性を有する電子素子を提供する。【解決手段】厚さ0.5mmの石英ガラス70上に、カーボンナノウォールを成長させて、上面に電極を所定間隔を隔てて設けた。原料ガスとしてC2F6 を使用した。ラジカル源ガスとしては水素ガス(H2 )を使用した。なお、カーボンナノウォールを堆積させる基板表面には、触媒(金属触媒等)を実質的に存在しない。この素子の電圧電流特性を測定したところ、負性抵抗領域が得られ、履歴特性も観測された。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

立設したカーボンナノウォールの端面上に、間隔を隔てて一対の電極を形成した素子であって、電圧電流特性において負性抵抗領域を有する電子素子。

IPC (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 27/10 ,  B82B 1/00

FI (3)：

H01L29/06 601N ,  H01L27/10 451 ,  B82B1/00

F-Term (19)：

4G146AA07 ,  4G146AB10 ,  4G146AD28 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC08 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC31B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146DA03 ,  4G146DA33 ,  4G146DA48 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許出願公開第2003/0129305号明細書
  
• カーボンナノウォールの製造方法、カーボンナノウォールおよび製造装置
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2004012406   Applicant：NUエコ・エンジニアリング株式会社, 平松美根男, 堀勝

Cited by examiner (3)

• 特許第4766895号
  
• カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-093283   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 堀勝, 平松美根男
• 炭素薄体、炭素薄体形成方法および電界放出型電子源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-337203   Applicant：三菱電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Carbon Nanowalls Grown by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition