カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：大川宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005093283
Publication number (International publication number)：2006272491
Application date： Mar. 28, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】ナノスケールを有する新規なカーボン構造物であるカーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイスを提供する。【解決手段】カーボンナノウォール(CNW)に対して形状処理を行う。形状処理としてはプラズマエッチング等のドライエッチング処理を採用できる。カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの少なくも先端部の厚みを根元部の厚みよりも減少させることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

カーボンナノウォールに対して形状処理を行うことを特徴とするカーボンナノウォールの処理方法。

IPC (7)：

B82B 1/00 , C01B 31/02 , H01L 29/06 , H01L 27/108 , H01L 21/824 , H01L 29/786 , H01L 29/80

FI (6)：

B82B1/00 , C01B31/02 101F , H01L29/06 601N , H01L27/10 621B , H01L29/78 618B , H01L29/80 V

F-Term (48)：

4G146AA07 , 4G146AD28 , 4G146BA11 , 4G146BA12 , 4G146BC09 , 4G146CB15 , 4G146CB16 , 5C135AA15 , 5C135AB05 , 5C135AC03 , 5C135AC04 , 5C135HH02 , 5C135HH16 , 5F083AD56 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA20 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR23 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GD04 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL00 , 5F102HC15 , 5F110AA16 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG55 , 5F110HJ01 , 5F110QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

カーボンナノチューブおよびその製造方法、電子源およびその製造方法、並びに、表示装置
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2001001326 Applicant：シャープ株式会社
フィールド・エミッタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-190659 Applicant：ジスーン・イーム
ナノチューブの目標蒸着法および電子部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-113542 Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

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Cited by examiner (5)

電子放出体及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-208625 Applicant：ソニー株式会社
電子放出素子及び電子放出源とそれらの製造方法並びにそれらを使用した画像表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-173309 Applicant：松下電器産業株式会社
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-301366 Applicant：後藤俊夫, 堀勝, 東京エレクトロン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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