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J-GLOBAL ID:200903049593042620

炭素薄体、炭素薄体形成方法および電界放出型電子源

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000337203
Publication number (International publication number):2002146533
Application date: Nov. 06, 2000
Publication date: May. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】 簡便な方法により面状電子源を作製することができる構造を有する炭素薄体、炭素薄体の製造方法、炭素薄体を用いた電界放出型電子源を提供する。【解決手段】 所定厚さtを有し、表面と裏面とを備えた薄膜状の炭素薄体9であって、平面的に見て、少なくとも表面側3cの部分において、曲線状の壁3が繋がって、略網目状構造を形成している。
Claim (excerpt):
所定厚さを有し、表面と裏面とを備えた薄膜状の炭素薄体であって、平面的に見て、少なくとも表面側部分において、曲線状の壁が繋がって、略網目状構造を形成している、炭素薄体。
IPC (6):
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C03C 17/22 ,  C23C 16/511 ,  H01J 1/304 ,  H01J 29/04
FI (6):
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C03C 17/22 Z ,  C23C 16/511 ,  H01J 29/04 ,  H01J 1/30 F
F-Term (18):
4G046CA01 ,  4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AC30 ,  4G059EA11 ,  4G059EB01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030CA17 ,  4K030FA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  5C031DD17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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