炭素薄体、炭素薄体形成方法および電界放出型電子源

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000337203
Publication number (International publication number)：2002146533
Application date： Nov. 06, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】簡便な方法により面状電子源を作製することができる構造を有する炭素薄体、炭素薄体の製造方法、炭素薄体を用いた電界放出型電子源を提供する。【解決手段】所定厚さtを有し、表面と裏面とを備えた薄膜状の炭素薄体9であって、平面的に見て、少なくとも表面側3cの部分において、曲線状の壁3が繋がって、略網目状構造を形成している。

Claim (excerpt)：

所定厚さを有し、表面と裏面とを備えた薄膜状の炭素薄体であって、平面的に見て、少なくとも表面側部分において、曲線状の壁が繋がって、略網目状構造を形成している、炭素薄体。

IPC (6)：

C23C 16/26 , C01B 31/02 101 , C03C 17/22 , C23C 16/511 , H01J 1/304 , H01J 29/04

FI (6)：

C23C 16/26 , C01B 31/02 101 Z , C03C 17/22 Z , C23C 16/511 , H01J 29/04 , H01J 1/30 F

F-Term (18)：

4G046CA01 , 4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CB09 , 4G046CC06 , 4G059AA08 , 4G059AB09 , 4G059AC30 , 4G059EA11 , 4G059EB01 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030CA17 , 4K030FA02 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 5C031DD17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

冷陰極およびこの冷陰極を用いた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-001680 Applicant：株式会社小松製作所
グラファイト薄膜、グラファイト薄膜の製造方法およびこれを用いた二次電池およびコンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-136894 Applicant：株式会社小松製作所
ファブリック形態のカーボンナノファイバー層のサイクロトロン共鳴プラズマによる蒸着方法と装置及び得られたファブリック層
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-508475 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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