Pat
J-GLOBAL ID:200903089226997411
固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
尾川 秀昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995329812
Publication number (International publication number):1997148554
Application date: Nov. 24, 1995
Publication date: Jun. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 セルフリフロー平坦化膜による感度の低下を防止し、延いてはこれを上回る感度を有する固体撮像装置を得る。【解決手段】 基板100上に形成した例えば平坦化膜106を、化学的機械研磨をして前記基板の略水平方向に平坦化するに当たり、前記基板上に形成された遮光膜104上に研磨抑止膜108を形成し、或いは前記遮光膜そのものを研磨抑止層として利用して化学的機械研磨を実行。
Claim (excerpt):
基板上に形成した少なくとも1層以上の薄膜を化学的機械研磨をして前記基板の略水平方向に平坦化する固体撮像装置の製造方法に於て、前記基板上に形成された遮光膜上に前記化学的機械研磨の為の研磨抑止層を形成する工程が含まれることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (6):
H01L 27/148
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 27/14
FI (6):
H01L 27/14 B
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 S
, H01L 21/316 X
, H01L 21/318 C
, H01L 27/14 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
固体撮像素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-305993
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-237269
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-305303
Applicant:エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-184282
Applicant:日本電気株式会社
Show all
Return to Previous Page