ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000339908
Publication number (International publication number)：2002016050
Application date： Nov. 08, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】高アスペクト比のコンタクトホールを形成する、及び低誘電率膜を良好にエッチングする。【解決手段】CF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2を必要に応じてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O2、CO及びCO2からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスと混合してなるドライエッチングガスプラズマ(例えば、ICP放電電力200-3000W,バイアス電力50-2000W,圧力100mTorr(13.3Pa)以下)で、酸化シリコン膜及び/又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法;二重結合を二つ有する一般式(1):CaFbHc(a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。)で表される化合物を少なくともひとつ含むドライエッチングガス及び該ガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングするドライエッチング方法。

Claim (excerpt)：

CF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2からなるドライエッチングガス。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/28 L , H01L 21/302 F , H01L 21/90 A , H01L 21/90 C

F-Term (42)：

4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104EE05 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104HH20 , 5F004AA02 , 5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ21 , 5F033QQ24 , 5F033QQ25 , 5F033QQ27 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR25 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033XX04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-002397 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置の反応室環境制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-296923 Applicant：松下電子工業株式会社
特開平4-170026

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