半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置の反応室環境制御方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997296923
Publication number (International publication number)：1999135482
Application date： Oct. 29, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】炭素に対するフッ素の比率が2以下のガスを用いたプラズマエッチング工程において安定したエッチング特性を実現する。【解決手段】エッチング装置の反応室内で炭素に対するフッ素の比が2以下のガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜のエッチングを行う工程の後、反応室内の内壁に形成されたポリマー膜を酸素プラズマによって酸化・除去する反応室環境制御工程を行う。

Claim (excerpt)：

基板上に半導体素子を形成する工程と、前記基板上に酸化シリコン膜を堆積する工程と、前記酸化シリコン膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、エッチング装置の反応室内で炭素に対するフッ素の比が2以下のガスのプラズマを用いて前記酸化シリコン膜のエッチングを行う工程と、前記反応室内の内壁に形成されたポリマー膜を酸化する反応室環境制御工程と、を包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-060755 Applicant：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-262685 Applicant：住友金属工業株式会社
真空処理装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-124890 Applicant：山形日本電気株式会社

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