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J-GLOBAL ID:200903089270113598

薄膜圧電素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000222270
Publication number (International publication number):2002043644
Application date: Jul. 24, 2000
Publication date: Feb. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。【解決手段】 基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に鉛を含有する圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜の上に更に上部電極を配した薄膜圧電素子において、該基板として鉄を主成分とする材料を用い、かつ該下部電極と基板との間に1層以上の拡散防止層を配することを特徴とする薄膜圧電素子。
Claim (excerpt):
基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に鉛を含有する圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜の上に更に上部電極を配した薄膜圧電素子において、該基板として鉄を主成分とする材料を用い、かつ該下部電極と基板との間に1層以上の拡散防止層を配することを特徴とする薄膜圧電素子。
IPC (3):
H01L 41/09 ,  B81B 3/00 ,  H01L 41/18
FI (3):
B81B 3/00 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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