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J-GLOBAL ID：200903045470809093

強誘電体素子

Inventor： 鎌田 健 ,  藤井 覚 ,  友澤 淳 ,  高山 良一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996089222
Publication number (International publication number)：1997280947
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 密着層を用いた構成により、電極剥離による素子破損や特性不良を抑制することができ、製造歩留まりの向上が可能な強誘電体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板11として(100)面MgO単結晶基板を用い、その上に密着層12のTi膜を配置し、その上に下部電極13のPt膜を配置し、その上に強誘電体膜14としてPb0.9La0.1Ti0.975O3(PLT)膜を配置し、その上に上部電極15のNi-Cr膜が配置された構成をとる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に下部電極を配置し、前記下部電極上に強誘電体膜を配置し、前記強誘電体膜上に上部電極を配置した強誘電体素子において、前記基板と前記下部電極の間に密着層を配置した強誘電体素子。

IPC (10)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187

FI (7)：

G01J 1/02 Y ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316192   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置の記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-174124   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-211520
  
• 誘電体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175378   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 容量素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-055733   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開昭62-211520