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J-GLOBAL ID:200903089288948190
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高月 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993268389
Publication number (International publication number):1995106312
Application date: Sep. 30, 1993
Publication date: Apr. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 被エッチング材の種類によらず、常に適正な条件でエッチングを行うことができ、よって適正なエッチングが達成できて、例えば良好なエッチング形状を容易に得ることができ、汎用性に富むドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。【構成】 被エッチング材をドライエッチングする際、?@マスク開口率等による被エッチング面積に応じてI、エッチング温度を変化させてII、エッチングを行う。?Aエッチング生成物に関するモニタ量に基づいてエッチング温度を変化させてエッチングを行う。?Bエッチング装置に、エッチング生成物に関するモニタ量を検出するモニタ手段と、得られたモニタ量に基づいてこれをエッチング温度にフィードバックする制御機構を備える。
Claim (excerpt):
被エッチング材をエッチングするドライエッチング方法であって、被エッチング面積に応じてエッチング温度を変化させてエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
FI (2):
H01L 21/302 A
, H01L 21/302 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開平4-254325
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半導体製造装置における冷凍機を用いた真空装置の電極の低温温度コントロールシステム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-327774
Applicant:アプライド・マテリアルズ・ジャパン株式会社, 富士通株式会社
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特開平4-254325
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特開平4-105321
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特開平4-105321
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ドライエツチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-262404
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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特開平3-278433
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特開昭63-073526
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