窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998011590
Publication number (International publication number)：1999214798
Application date： Jan. 23, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】サファイア基板を除去してもGaN基板に反り、割れ、及び欠けなどが発生するのを防止し、容易にウエハをチップ化できると共に、劈開の際のGaN基板の不要な割れを防止することができ、更に放熱性の良好な窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】第1の異種基板上にGaN基板2を形成し、その上に素子構造3を積層した後又は積層する前に、第1の異種基板を取り除き露出されたGaN基板面に劈開性の第2の異種基板4を接合する。又は80μm以上のGaN基板2を形成し第1の異種基板を除去し露出した面とは反対側の面に素子構造3を形成し、第2の異種基板4を接合させない。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料よりなる第1の異種基板上にGaNを成長させてGaN基板となし、そのGaN基板の上に窒化物半導体素子構造を積層した後、第1の異種基板を取り除き露出された素子構造を有していないGaN基板の面に、窒化物半導体と異なる材料よりなり劈開性を有する第2の異種基板を接合して、その第2の異種基板を劈開することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

III族窒化物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354572 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213676 Applicant：ローム株式会社
半導体素子及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038118 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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