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J-GLOBAL ID：200903089423016457

半導体装置の製造方法

Inventor： 斉藤 真美 ,  冨田 寛 ,  宮崎 邦浩 ,  灘原 壮一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001371746
Publication number (International publication number)：2002246378
Application date： Dec. 05, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 複数のエッチング工程において共通に使用できるエッチング原液を提供する。【解決手段】 H2SO4とNH4F、もしくはH2SO4とHFを主成分とし、含有H2Oが5wt%以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。さらに、H2SO4とH2Oとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、SiN膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

H2SO4とNH4F、もしくはH2SO4とHFを主成分とし、含有H2Oが5wt%以下である溶液をエッチング原液として使用するエッチング工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/308 E ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/302 N

F-Term (11)：

5F004AA14 ,  5F004DB03 ,  5F004DB24 ,  5F004FA07 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA37 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043BB25 ,  5F043BB27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ドライエッチング後の側壁残さを除去するための溶液および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-533981   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 半導体装置の表面処理液および半導体装置のウエット処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051478   Applicant：松下電器産業株式会社