酸化膜の原子層堆積

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004043728
Publication number (International publication number)：2004256916
Application date： Feb. 19, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】酸化剤工程をなくすことによって堆積方法を大幅に簡略化し、さらに、ナノラミネート膜の質を向上させること。【解決手段】酸化物薄膜を堆積する原子層堆積法が提供される。この方法は、第1のプリカーサのニトレート配位子を、第2のプリカーサのための酸化剤として用いて、酸化ハフニウムを形成する。窒化ハフニウムプリカーサおよび塩化ハフニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるHigh-k酸化ハフニウム誘電体を堆積することによく適している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

酸化ハフニウム膜を形成する原子層堆積プロセスにおいて、窒化ハフニウム含有プリカーサをハフニウム含有プリカーサのための酸化剤として用いる方法であって、 a.窒化ハフニウム含有プリカーサを導入する工程と、 b.該窒化ハフニウム含有プリカーサをパージする工程と、 c.ハフニウム含有プリカーサを導入する工程と、 d.該ハフニウム含有プリカーサをパージする工程とを包含する、方法。

IPC (4)：

C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/52

FI (4)：

C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/52

F-Term (11)：

4K030AA02 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4K030LA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第6,060,755号明細書
米国特許第6,203,613号明細書
米国特許第6,420,279号明細書

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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