光起電力デバイス用基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999297608
Publication number (International publication number)：2001119046
Application date： Oct. 20, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】酸化亜鉛を主成分とする保護膜と透明導電膜との密着性が十分でないと、太陽電池の特性低下の原因となる。【解決手段】ガラス板5上に形成した酸化錫を主成分とする透明導電膜3上に、耐プラズマ性に優れた酸化亜鉛膜4を形成する。酸化亜鉛膜4は、被膜形成原料の熱分解を伴う方法により成膜する。この酸化亜鉛膜4は(101)面配向性を示し、例えば、スパッタリング法で成膜された(002)面配向を示す酸化亜鉛膜よりも、透明導電膜との密着性に優れている。

Claim (excerpt)：

ガラス板と、前記ガラス板上に形成された透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成された酸化亜鉛を主成分とする膜とを含み、前記酸化亜鉛を主成分とする膜が、X線回折分析により、酸化亜鉛結晶について(101)面配向を示すことを特徴とする光起電力デバイス用基板。

F-Term (5)：

5F051FA02 , 5F051FA30 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F051GA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-194208
酸化亜鉛薄膜の製造方法、半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337075 Applicant：キヤノン株式会社
特開平1-194208

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