高分子光学材料及びそれを用いた光導波路及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中本宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996166691
Publication number (International publication number)：1997325201
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】耐熱性及び耐湿性に優れた光学材料、それを用いた光導波路、及びその製造方法を提供する。【解決手段】式(I)、(II)の各単位を構成分とする一般式(化1):-(R1 )(-O1/2 )Si-O-(I)、-(R1 )(Z-)Si-O-(II)の繰り返し単位、及び式(III)、式(IV)を構成分とする一般式(化2):-(R2 )(-O1/2 )Si-O-(III)、-(R2 )(Z-)Si-O-(IV)〔R1 :C6 X5 (X:D又はハロゲン)、R2 :Cn Y2n+1(Y:H、D又はハロゲン)、Z:OH、OCm H2m+1、n:正の整数、m:3以下の整数〕の繰り返し単位からなり、Mw1万以下の共重合体である高分子光学材料。該材料を、熱架橋した材料を用いた光導波路。その製造方法。

Claim (excerpt)：

式(I)、式(II)の各単位を構成分とする下記一般式(化1):【化1】〔式中、R1 はC6 X5 (Xは重水素若しくはハロゲンを表す)で表される重水素化フェニル基又はハロゲン化フェニル基、Zは水酸基若しくはOCm H2m+1(mは3以下の整数)で表されるアルコキシ基である〕で表される繰り返し単位、及び式(III)、式(IV)の各単位を構成分とする下記一般式(化2):【化2】〔式中、R2 はCn Y2n+1(Yは水素、重水素若しくはハロゲン、nは正の整数を表す)で表されるアルキル基、重水素化アルキル基又はハロゲン化アルキル基であり、Zは水酸基若しくはOCm H2m+1(mは3以下の整数)で表されるアルコキシ基である〕で表される繰り返し単位からなり、重量平均分子量が10000以下である共重合体であることを特徴とする高分子光学材料。

IPC (5)：

G02B 1/04 , C08G 77/04 NUA , C08G 77/24 NUH , G02B 6/12 , G02B 6/13

FI (5)：

G02B 1/04 , C08G 77/04 NUA , C08G 77/24 NUH , G02B 6/12 N , G02B 6/12 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

シロキサンコポリマーの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-070660 Applicant：日本電信電話株式会社
高分子光学材料及びそれを用いた光導波路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-165106 Applicant：日本電信電話株式会社
有機ケイ素高分子材料及び着色部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-015639 Applicant：株式会社東芝

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