Pat
J-GLOBAL ID：200903089608614423
高誘電率膜の堆積のための界面層を制御するための方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004256355
Publication number (International publication number)：2005109450
Application date： Sep. 02, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：
【課題】 水素パッシベーションした基板上に高誘電率膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ(例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム)を水酸化剤または酸化剤(例えば、水)を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、1つ以上のhigh-k誘電体膜を堆積することによって、high-k膜を形成する方法が提供される。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
基板上にhigh-k誘電体膜を形成する方法であって、
a)原子層堆積チャンバ内で、半導体基板上に、水素パッシベーションした表面を提供するステップと、
b)該基板を摂氏200度未満まで加熱することによって界面層を形成し、該界面層の形成の間、水酸化ガスまたはさらなる酸化ガスを導入することなく、無水硝酸ハフニウムを該チャンバに導入するステップと、
c)該界面層上にあるhigh-k膜を形成するステップと
を包含する、方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L21/316 C
, H01L29/78 301G
5F058BC03
, 5F058BE10
, 5F058BF04
, 5F058BF06
, 5F058BF37
, 5F058BJ01
, 5F140AA00
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD20
, 5F140BE01
, 5F140BE09
Cited by examiner (6)
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原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-180523
Applicant：シャープ株式会社
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原子層堆積絶縁層
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2006-509146
Applicant：マイクロンテクノロジー,インコーポレイティド
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特許第6420279号
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