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J-GLOBAL ID：200903066212817186

ナノラミネート膜の原子層堆積

Inventor：
ジョン エフ. コンリー, ジュニア

About ジョン エフ. コンリー, ジュニア

, 
ヨシ オノ

About ヨシ オノ

, 
ラジェンドラ ソランキー

About ラジェンドラ ソランキー


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004042166
Publication number (International publication number)：2004260168
Application date： Feb. 18, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】 酸化剤工程をなくすことによって堆積方法を大幅に簡略化し、さらに、ナノラミネート膜の質を向上させること。【解決手段】 酸化物ナノラミネート薄膜を堆積する原子層堆積法が提供される。この方法は、第1のプリカーサのニトレート配位子を、第2のプリカーサのための酸化剤として用いて、酸化物ナノラミネートを形成する。窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるHigh-k酸化ハフニウム/酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
酸化物ナノラミネート膜を形成する原子層堆積プロセスにおいて、第1の窒化金属含有プリカーサを第2の金属含有プリカーサのための酸化剤として用いる方法であって、 a.第1の窒化金属含有プリカーサを導入する工程と、 b.該第1の窒化金属含有プリカーサをパージする工程と、 c.第2の金属含有プリカーサを導入する工程と、 d.該第2の金属含有プリカーサをパージする工程と を包含する、方法。
IPC (4)：
H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108
FI (4)：
H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  C23C16/40 ,  H01L27/10 651
F-Term (35)：
4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA43 ,  4K030BA56 ,  4K030BA57 ,  4K030BA58 ,  4K030BA59 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF20 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083AD60 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第6,060,755号明細書
  • 米国特許第6,203,613号明細書
  • 米国特許第6,420,279号明細書
Cited by examiner (6)
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