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J-GLOBAL ID:200903089644969300

電磁界結合構造およびそれを用いた電気回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999067641
Publication number (International publication number):2000269708
Application date: Mar. 15, 1999
Publication date: Sep. 29, 2000
Summary:
【要約】【課題】 スロット結合の挿入損失を低減する。特に、通常のスロット結合が想定する2積層の多層基板よりも層数が多い、3積層以上の多層基板に於いて挿入損失を改善する。【解決手段】 スロットの形状として、周囲長が波長λの整数倍になるような大きさの、リング形状のスロットを採用した。
Claim (excerpt):
高周波電気回路を構成する多層基板の層間を電気的に接続する手段としてスロット結合型の電磁界結合方式を用い、スロットの形状としてリング形状のスロットを用いたことを特徴とする電磁界結合構造。
IPC (3):
H01P 5/02 603 ,  H01P 3/08 ,  H05K 3/46
FI (4):
H01P 5/02 603 L ,  H01P 3/08 ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Z
F-Term (12):
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA41 ,  5E346AA60 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346FF01 ,  5E346FF50 ,  5J014CA09 ,  5J014CA42 ,  5J014CA56
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-233802
  • 高周波用半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-107139   Applicant:京セラ株式会社
  • トリプレート線路層間接続器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-061838   Applicant:日立化成工業株式会社
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