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J-GLOBAL ID:200903089657341220
セラミック配線基板およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997074550
Publication number (International publication number):1998051088
Application date: Mar. 10, 1997
Publication date: Feb. 20, 1998
Summary:
【要約】【課題】Ag、Pd、Auなどの低融点金属を配線材料とする低温焼成のセラミック配線基板において、配線材料とセラミック材料との焼成時の収縮挙動を接近したものとし、配線基板の反りや変形を少なくすること。【解決手段】Ag、Pd、Au、Ptのうちの少なくとも1種からなる導電用金属:100重量部に対し、WおよびまたはMoの化合物を金属換算で3〜5重量部と、ガラス組成物:1〜10重量部とを含有するメタライズ部を有することを特徴とするセラミック配線基板とする。Wの化合物がWO3およびまたはWSi2を含有するものであること。Moの化合物がMoSi2を含有するものであること。
Claim (excerpt):
Ag、Pd、Au、Ptのうちの少なくとも1種からなる導電用金属:100重量部に対し、WおよびまたはMoの化合物を金属Wまたは金属Moに換算して3〜5重量部と、ガラス組成物:1〜10重量部とを含有するメタライズ部を有することを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (2):
FI (2):
H05K 1/09 B
, H05K 3/12 B
Patent cited by the Patent: