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J-GLOBAL ID：200903089819169604

光電変換装置およびそれを用いた光発電装置

Inventor：
古茂田 学

About 古茂田 学


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005019702
Publication number (International publication number)：2006210102
Application date： Jan. 27, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：
【課題】 太陽電池、光センサー等に好適に使用でき、長期信頼性および光電変換効率に優れた光電変換装置を提供すること。 【解決手段】 基板1と、基板1の一主面に形成された電極層2と、電極層2上に形成された、光励起体4を含有する多孔質の電子輸送層3と、電子輸送層3上に形成された正孔輸送層7と、正孔輸送層7上に形成された対向電極層6とを具備しており、光励起体4が、導電性有機配位子が付着した無機半導体ナノ粒子から成ることにより、信頼性かつ光電変換効率の優れた光電変換装置および光発電装置が作製できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板と、該基板の一主面に形成された電極層と、該電極層上に形成された、光励起体を含有する多孔質の電子輸送層と、該電子輸送層上に形成された正孔輸送層と、該正孔輸送層上に形成された対向電極層とを具備しており、前記光励起体は、導電性有機配位子が付着した無機半導体ナノ粒子から成ることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (11)：
5F051AA14 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS05 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032AS17 ,  5H032EE01 ,  5H032EE03 ,  5H032EE16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第4927721号明細書
  • 半導体ナノ粒子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-210902   Applicant：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
  • 半導体超微粒子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-259260   Applicant：三菱化学株式会社

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