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J-GLOBAL ID：200903089853334193

強誘電体薄膜素子

Inventor： 長尾 宣明 ,  竹内 孝之 ,  飯島 賢二 ,  河村 達朗
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316192
Publication number (International publication number)：1995169996
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 セラミックス薄膜を用いた各種薄膜デバイス素子に使用される強誘電体薄膜において、結晶中の格子欠陥が極めて少なく、結晶性、強誘電特性に優れた強誘電体薄膜素子を提供する。【構成】 (100)で劈開し鏡面研磨したMgO単結晶基板1の上に、スパッタリング法によって膜厚0.2μmのPt薄膜を堆積し、下部電極2を形成する。下部電極2の上に、高周波マグネトロンスパッタリング法によって強誘電体薄膜3を3μmだけ成長させる。強誘電体薄膜3としては、Aサイト金属とBサイト金属のモル比(A/B)が1.0以上の組成であるABO3 型ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜を用いる。強誘電体薄膜3の上に、スパッタリング法によって膜厚0.2μmのPt薄膜を堆積し、上部電極4を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された第2の電極とを少なくとも備えた強誘電体薄膜素子であって、前記強誘電体薄膜がABO3 型ペロブスカイト構造を有する酸化物強誘電体であり、前記強誘電体薄膜中のAサイト金属とBサイト金属のモル比(A/B)が1.0以上の組成であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (4)：

H01L 37/02 ,  C01G 23/00 ,  C01G 25/00 ,  G01J 1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-030726   Applicant：松下電器産業株式会社
• チタン酸ジルコン酸鉛系薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197722   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭61-088403
  
• 特開平1-136324