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J-GLOBAL ID:200903089872382115
めっき装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998071368
Publication number (International publication number):1999256345
Application date: Mar. 05, 1998
Publication date: Sep. 21, 1999
Summary:
【要約】【課題】 微細な配線用の溝等の微細窪みに銅又は銅合金等の電気的抵抗の小さい材料を、基板の全面に亘って均一に充填することができるめっき装置を提供する。【解決手段】 めっき室12を形成するめっき容器15と、めっき室の内部で基板Wを保持し、かつその周囲に基板とほぼ面一のめっき液流通面10bを構成する保持台10と、めっき室内において基板及びめっき流通面の上面に沿ってめっき液の平行な均一流れを形成するめっき液流れ形成部20a,20bと、めっき液流れ形成部にめっき液を供給するめっき液供給装置22とを有する。
Claim (excerpt):
めっき室を形成するめっき容器と、該めっき室の内部で基板を保持し、かつその周囲に基板とほぼ面一のめっき液流通面を構成する保持台と、前記めっき室内において前記基板及びめっき流通面の上面に沿ってめっき液の平行な均一流れを形成するめっき液流れ形成部と、前記めっき液流れ形成部にめっき液を供給するめっき液供給装置とを有することを特徴とするめっき装置。
IPC (3):
C23C 18/31
, H01L 21/288
, H01L 21/3205
FI (3):
C23C 18/31 E
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 K
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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無電解めつき槽
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-259122
Applicant:三菱電機株式会社
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化学メッキ槽
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-353035
Applicant:イビデン株式会社
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特開昭59-161895
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半導体ウエハのバンプ電極めっき装置及びそのめっき方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-129449
Applicant:沖電気工業株式会社
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集積回路用金属膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-241218
Applicant:松下電器産業株式会社
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