コバルト/ニオブ二重金属層構造を利用したシリサイド形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998309181
Publication number (International publication number)：1999214327
Application date： Oct. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MOSトランジスタのゲート電極上部とソース/ドレーン領域に形成されたシリサイド膜を同時に形成し、シリサイド膜と上部配線層の反応を抑制する。【解決手段】シリコン基板10上にシリコン基板10より高い被酸化性を有するNb膜24とNb膜24及びシリコン基板10より相対的に大きい拡散係数を有するCo膜25を順次形成して二重金属層Co/Nbを形成し、二重金属層を熱処理して膜の逆転によるCoシリサイド膜及びCoシリサイド膜上にCo-Nb合金層29を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に前記半導体基板より高い被酸化性を有する第1金属膜と、前記第1金属膜及び半導体基板より相対的にもっと大きい拡散係数を有する第2金属膜を順序に形成して二重金属層を形成する段階と、前記二重金属層を熱処理して第2金属シリサイド膜と、前記第2金属シリサイド膜上に第1金属膜と第2金属膜の合金層を形成するが、前記熱処理で前記第2金属膜の一部が前記第1金属膜を拡散通過して前記半導体基板と反応することによって形成される段階とを含むことを特徴とするシリサイド膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/28 301 S , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコン基板上に2つの層を形成させる方法及びシリコン基板上の接点領域の充填物を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-163370 Applicant：インテル・コーポレーシヨン
コバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-249219 Applicant：日本電気株式会社
コバルトシリサイド膜を有するMOSFETの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-366428 Applicant：現代電子産業株式会社

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