コバルトシリサイド膜を有するMOSFETの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：斎藤栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997366428
Publication number (International publication number)：1998284728
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 MOSFETの電気的特性及び信頼性の向上をその目的とする。【解決手段】コバルトシリサイド膜を有するMOSFETの製造方法は、素子分離膜が形成された半導体基板を提供する段階と、前記の半導体基板上に、乱反射防止膜、シリコン酸化膜、多結晶シリコン膜、及び非晶質シリコン膜を順次的に蒸着しパターニングしてゲートとゲート絶縁膜を形成する段階と、前記乱反射防止膜を除去する段階と、前記ゲートとゲート絶縁膜を含む基板に第1伝導型の不純物を低濃度でイオン注入してゲート両側の基板内に低濃度でドーピングされた不純物領域を形成する段階と、前記ゲートの両側壁上に絶縁性のスペーサを形成する段階と、前記半導体基板に第1伝導型の不純物を高濃度でイオン注入してソース、ドレイン領域を形成する段階と、前記半導体基板の全面にニオブとコバルトを順次的に蒸着する段階と、前記半導体基板を所定温度で熱的アニーリングして前記ソース、ドレイン、及びゲート上にコバルトシリサイド膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

素子分離膜が形成され、露出されたシリコン部分を有する半導体基板を提供する段階と、前記露出されたシリコン部分上にニオブとコバルトを順次的に蒸着する段階と、前記ニオブとコバルトが蒸着された基板を所定温度で熱的アニーリングを行い、前記のシリコン部分上にコバルトシリサイド膜を形成する段階とよりなることを特徴とするコバルトシリサイド膜を有するMOSFETの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 658 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

コバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-249219 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-092167 Applicant：株式会社日立製作所
MOS半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116029 Applicant：沖電気工業株式会社

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