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J-GLOBAL ID：200903089966485643

トランジスタ

Inventor：
伊藤 学

About 伊藤 学


Applicant, Patent owner：
凸版印刷株式会社

About 凸版印刷株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005304089
Publication number (International publication number)：2007115808
Application date： Oct. 19, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】酸化物半導体を活性層として、経時劣化無く優れた特性を持つ薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】可撓性プラスチック基材1上にトランジスタ素子とこのトランジスタ素子を覆う保護膜9とを備えるトランジスタであって、トランジスタ素子が、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜4と、酸化物半導体から構成された半導体活性層5と、ソース電極8及びドレイン電極7とを備えるものであり、保護膜9として水蒸気透過率が1g/m2/day以下、酸素透過率が1cc/m2/day以下、かつ、電気抵抗率が1011Ω・cm以上である無機化合物を使用する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
可撓性プラスチック基材と、この基材上に設けられたトランジスタ素子と、このトランジスタ素子を覆う保護膜とを備えるトランジスタであって、 前記トランジスタ素子が、前記基材上に設けられたゲート電極と、このゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体から構成された半導体活性層と、この半導体活性層に電気的に接触して配列されたソース電極と、前記半導体活性層に電気的に接触すると共に前記ソース電極に離隔して配列されたドレイン電極とを備え、前記ゲート電極に印加する電圧の有無によって、前記ソース電極とドレイン電極との導通をオン又はオフするトランジスタ素子であり、 前記保護膜の水蒸気透過率が1g/m2/day以下であり、酸素透過率が1cc/m2/day以下であり、かつ、電気抵抗率が1011Ω・cm以上であるトランジスタ。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (2)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B
F-Term (56)：
5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD11 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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