機能線、それを用いたトランジスタアレイ、アクティブマトリクス基板、表示装置、半導体装置並びにトランジスタアレイおよびアクティブマトリクス基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001372902
Publication number (International publication number)：2003174171
Application date： Dec. 06, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】プラスチックなどの基板上に複数のトランジスタがアライメントずれを起こすことなく配置されたアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板30は、少なくとも表面が導電性を有する中心線36と、前記中心線の表面を被覆する絶縁層37と、前記絶縁層を被覆する半導体層38とを有する複数の機能線31と、前記複数の機能線の相互の配置を固定する固定構造と、前記複数の機能線のそれぞれの半導体層と重畳している部分と重畳していな部分とを有する第1および第2の導電層43、42とを有しており、前記第1および第2の導電層によって画定された領域44をチャネルとして前記それぞれの半導体層中に含む複数のトランジスタ32と、前記第1の導電層43とそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極33とを含む。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が導電性を有する中心線と、前記中心線の表面を被覆する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層を被覆する半導体層と、前記半導体層を被覆する第2の絶縁層とを有する機能線。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H05B 33/14

FI (8)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 613 A

F-Term (96)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB11 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092MA01 , 2H092MA02 , 2H092MA03 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA24 , 2H092MA35 , 2H092NA25 , 2H092NA26 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA06 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA31 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094EB02 , 5C094EB10 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094JA08 , 5C094JA20 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110NN01 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN48 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP27 , 5F110PP35 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-075620 Applicant：株式会社東芝
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-211072 Applicant：シャープ株式会社
特開昭62-165368

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